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N-TOPCon太阳能电池、组件、系统及电池中制备双面氧化硅的方法、设备

基本信息

申请号 CN202110322400.4 申请日 -
公开（公告）号 CN113193074A 公开（公告）日 2021-07-30
申请公布号 CN113193074A 申请公布日 2021-07-30
分类号 H01L31/18（2006.01）I;H01L31/0216（2014.01）I;H01L31/068（2012.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 杜哲仁;崔义乾;黄健;乔振聪;陈嘉;刘荣林 申请（专利权）人 泰州中来光电科技有限公司
代理机构 北京金之桥知识产权代理有限公司 代理人 徐李娜;邓俊勇
地址 225500江苏省泰州市姜堰经济开发区开阳路
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种N‑TOPCon太阳能电池、组件、系统及电池中制备双面氧化硅的方法、设备，其中方法包括：步骤S1.以N型硅作为衬底，在N型硅的正面制备p+掺杂区域；步骤S2.在N型硅的正面制备氧化硅薄膜，同时在N型硅的背面制备隧穿氧化层；步骤S3.在N型硅的背面制备掺磷多晶硅；步骤S4.在N型硅的正面和背面制备钝化膜后印刷金属电极。本发明在保证洁净度的同时，减少工序，解决N‑TOPCon工序多的问题，增强N‑TOPCon的核心竞争力。