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一种太阳电池的选择性掺杂结构的制备方法

基本信息

申请号 CN202110130686.6 申请日 -
公开（公告）号 CN112701192A 公开（公告）日 2021-04-23
申请公布号 CN112701192A 申请公布日 2021-04-23
分类号 H01L31/18;H01L31/068 分类 基本电气元件;
发明人 杜哲仁;杨俊楠;沈承焕;赵影文;季根华;张志郢;陈嘉;林建伟 申请（专利权）人 泰州中来光电科技有限公司
代理机构 北京金之桥知识产权代理有限公司 代理人 徐李娜
地址 225500 江苏省泰州市姜堰经济开发区开阳路
法律状态 -

摘要

摘要 本发明属于太阳电池技术领域，涉及一种太阳电池的选择性掺杂结构的制备方法，包含如下步骤：步骤一，对硅片的表面进行预处理，在预处理后的所述硅片的表面沉积含掺杂源的poly层；步骤二，在所述poly层的表面的局部进行激光处理，以形成重掺杂区域；步骤三，对所述硅片进行退火，以使所述poly层的表面的未激光处理区域形成轻掺杂区域，并在退火处理过程中通入含O2的气体，以将所述poly层氧化为BSG/PSG层；步骤四，清洗所述硅片，以去除所述BSG/PSG层，得到太阳电池的选择性掺杂结构。该制备方法能精准控制选择性掺杂结构的轻掺杂区域和重掺杂区域的掺杂量，并能简化制备工序和结构，提高制备效率。