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一种基于反应离子刻蚀法制备黑硅钝化接触电池的方法

基本信息

申请号 CN202011371342.6 申请日 -
公开（公告）号 CN112509919A 公开（公告）日 2021-03-16
申请公布号 CN112509919A 申请公布日 2021-03-16
分类号 H01L21/3065(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 杜哲仁;陈程;包杰;马丽敏;陈嘉;林建伟 申请（专利权）人 泰州中来光电科技有限公司
代理机构 北京金之桥知识产权代理有限公司 代理人 李托弟;耿璐璐
地址 225500江苏省泰州市姜堰经济开发区开阳路6号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种基于反应离子刻蚀法制备黑硅钝化接触电池的方法。该方法包括：S1、对N型单晶硅进行结构化处理，形成金字塔结构，对处理后的硅片硅基体的背面依次形成隧穿氧化层和多晶硅层，同时在N型单晶硅基体的正面形成含有多晶硅绕镀的第一区域和不含多晶硅绕镀的第二区域；S2、对硅基体进行掺杂和退火处理，以使得硅基体背面的多晶硅层变为表面覆盖有含磷氧化层的掺磷多晶硅层，同时在硅基体正面的含有多晶硅绕镀的第一区域和不含多晶硅绕镀的第二区域上均形成薄氧化层；S3、对硅基体的正面进行反应离子刻蚀，以去除电池正面的多晶硅绕度，同时在电池正面的微米级的金字塔结构上形成纳米级孔洞结构；S3、对硅基体进行后处理。