一种TOPCon钝化接触结构中多晶硅层的数据测定方法
基本信息
| 申请号 | CN202110481567.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113241308A | 公开（公告）日 | 2021-08-10 |
| 申请公布号 | CN113241308A | 申请公布日 | 2021-08-10 |
| 分类号 | H01L21/66（2006.01）I;G01N27/27（2006.01）I;G01R27/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杜哲仁;黄策;包杰;陈嘉;季根华;陈程;林建伟 | 申请（专利权）人 | 泰州中来光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京金之桥知识产权代理有限公司 | 代理人 | 袁芳;刘卓夫 |
| 地址 | 225500江苏省泰州市姜堰经济开发区开阳路 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种TOPCon钝化接触结构中多晶硅层的数据测定方法，包括以下步骤：S1.在同等工艺条件下制备具有TOPCon钝化接触结构的使用品和测定品，并在测定品上增设电介质层：使用品包括从内到外依次位于晶体硅衬底上的隧穿氧化层和多晶硅层；测定品包括从内到外依次位于晶体硅衬底上的电介质层、隧穿氧化层和多晶硅层，使用品中的所述隧穿氧化层和多晶硅层分别与测定品中的隧穿氧化层和多晶硅层具有一致性；S2.对测定品和/或使用品进行数据测定，和/或对数据测定结果进行比对分析，得出最终测定结论。按照本发明提供的技术方案与现有技术相比具有如下优点：不受晶体硅衬底表面形貌影响、测定结果准确而且方便快捷。 |
