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一种太阳能电池的制备方法

基本信息

申请号	CN202011356479.4	申请日	-
公开（公告）号	CN112490325A	公开（公告）日	2021-03-12
申请公布号	CN112490325A	申请公布日	2021-03-12
分类号	H01L31/18(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	杜哲仁;赵影文;陈嘉;季根华;杨俊楠;张志郢;刘志锋	申请（专利权）人	泰州中来光电科技有限公司
代理机构	北京金之桥知识产权代理有限公司	代理人	耿璐璐;李托弟
地址	225500江苏省泰州市姜堰经济开发区开阳路6号
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种太阳能电池的制备方法，该方法包括：S1、对硅片进行预处理；S2、在硅片的背表面制备隧穿氧化层和多晶硅薄膜层；S3、在硅片的背面制备背面p+poly发射极；S4、对硅片的背面进行局部磷浆印刷，并烘干处理，制备图案化结构；S5、对硅片进行退火处理，形成正面n+前场和反掺杂的背面n+poly背场；S6、对硅片进行后处理。本发明先在硅片背面制备整面p+poly发射极，然后选择反掺杂的方式形成背面n+poly背场，从而可以避免使用复杂的光刻掩膜等技术；并且，本发明的n+poly背场反掺杂时采用磷浆印刷工艺，不但可以制备n+poly背场，同时也可形成电池的前表面场，对前表面起到很好地钝化作用。