首页/ 泰州中来光电科技有限公司/ 专利详情

一种背发射极钝化接触电池及其制备方法、组件和系统

基本信息

申请号 CN202011599171.2 申请日 -
公开（公告）号 CN112701174A 公开（公告）日 2021-04-23
申请公布号 CN112701174A 申请公布日 2021-04-23
分类号 H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18 分类 基本电气元件;
发明人 杜哲仁;马丽敏;陈程;包杰;陈嘉;林建伟 申请（专利权）人 泰州中来光电科技有限公司
代理机构 北京金之桥知识产权代理有限公司 代理人 徐李娜
地址 225500 江苏省泰州市姜堰经济开发区开阳路
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种背发射极钝化接触电池及其制备方法、组件和系统。其中电池的结构为：硅基体的正面从内到外依次设置有局域重掺杂层、钝化层、正面金属栅线，其中正面金属栅线印刷于局域重掺杂层上，局域重掺杂层位于电池正面的金属接触区域其与硅基底的掺杂类型一致，电池正面的非金属接触区域不作或仅作部分掺杂；硅基体的背面从内到外依次设置有掺杂多晶硅层、钝化层、背面金属栅线，掺杂多晶硅层与硅基体的掺杂类型相反。本发明可实现在相同钝化条件下，电池正面的复合速率会大幅降低，钝化效果更优，同时还能解决正面由于方阻过高造成的多数载流子传输困难而带来的填充因子的急剧降低问题。