一种石墨烯/碳包覆硅基负极及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010734729.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114005965A | 公开（公告）日 | 2022-02-01 |
| 申请公布号 | CN114005965A | 申请公布日 | 2022-02-01 |
| 分类号 | H01M4/36（2006.01）I;H01M4/38（2006.01）I;H01M4/583（2010.01）I;H01M4/62（2006.01）I;H01M10/0525（2010.01）I;C01B32/182（2017.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 崔日俊;李国敏 | 申请（专利权）人 | 深圳格林德能源集团有限公司 |
| 代理机构 | 北京慕达星云知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 崔自京 |
| 地址 | 518105广东省深圳市宝安区松岗燕川红湖路168号工业园A2栋4楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种石墨烯/碳包覆硅基负极及其制备方法，所述的硅基负极包括硅基材料、硅基材料表面包覆的无定型碳及石墨烯，所述的制备方法包括聚多巴胺包覆硅基材料的制备、氧化石墨烯/聚多巴胺包覆硅基材料的制备及高温处理。本发明有效地实现石墨烯对硅基材料的均匀包覆，有效地抑制硅基材料体积膨胀效应，提高材料的电子电导率及锂离子电池的长期循环性能，同时本发明的制备方法简单方便，易于实现规模化、产业化。 |
