一种单晶硅生长控制工艺
基本信息
| 申请号 | CN202110419971.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113136619A | 公开（公告）日 | 2021-07-20 |
| 申请公布号 | CN113136619A | 申请公布日 | 2021-07-20 |
| 分类号 | C30B15/20;C30B29/06 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 范桂林;李朝红;李茂欣;沈伟华 | 申请（专利权）人 | 上海磐盟电子材料有限公司 |
| 代理机构 | 北京维正专利代理有限公司 | 代理人 | 温开瑞 |
| 地址 | 201600 上海市松江区长塔路399号2幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请涉及一种单晶硅生长控制工艺，其包括S1：单晶炉的炉筒外侧架设磁场装置，向炉筒内部施加磁场；S2：装料；S21：在炉筒内设有同轴对准装置，在炉筒安装石墨坩埚，通过同轴对准装置在石墨坩埚内安装石英坩埚；S22：多晶放入石英坩埚内，棱角靠近石英坩埚；S3：通过同轴对准装置安装并调整籽晶，籽晶与石英坩埚同轴线；S4：抽空和捡漏，抽出炉筒内部的气体，完成抽气后，检测炉筒漏气速率；S5：熔料；S6：引晶、放肩和收尾；S7：停炉；S8：取单晶。本申请具有快速准确地调整石墨坩埚、石英坩埚和籽晶的同轴度，提高单晶硅的生产效率和质量的效果。 |
