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一种降低沟槽型金属氧化物半导体导通电阻的方法

基本信息

申请号 CN201911030598.8 申请日 -
公开（公告）号 CN110729196A 公开（公告）日 2020-01-24
申请公布号 CN110729196A 申请公布日 2020-01-24
分类号 H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08 分类 基本电气元件;
发明人 黄泽军;张二雄;刘厚超;李何莉 申请（专利权）人 深圳市锐骏半导体股份有限公司
代理机构 深圳众邦专利代理有限公司 代理人 罗郁明
地址 518000 广东省深圳市南山区高新中一道2号长园新材料港8栋4楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种降低沟槽型金属氧化物半导体导通电阻的方法，包括以下步骤，在硅衬底上的N型外延层上生长热生长氧化层，再淀积氧化层，进行沟槽的刻蚀；生长栅极氧化层，再淀积掺杂的栅极多晶硅；形成器件的栅极，P型杂质注入，形成P型体区；进行纵向的源区光刻，进行N型杂质注入；形成沟槽DMOS的源区；进行纵向的P型浓掺杂区光刻，P型浓掺杂质注入；淀积介质隔离层,淀积钛/氮化钛，再淀积正面金属层形成器件的源极；再生长背面金属层，形成器件的漏极，完成器件的制作；本发明通过改变器件的结构，实现了更小元胞的制作，实现了相同面积导通电阻的降低或相同导通电阻芯片面积的减小，具有良好的市场应用价值。