一种改善沟槽型金属氧化物半导体栅源漏电的方法
基本信息
| 申请号 | CN201911220369.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111009577A | 公开（公告）日 | 2020-04-14 |
| 申请公布号 | CN111009577A | 申请公布日 | 2020-04-14 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张二雄;黄泽军 | 申请（专利权）人 | 深圳市锐骏半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 深圳众邦专利代理有限公司 | 代理人 | 张晓会 |
| 地址 | 518000广东省深圳市南山区高新中一道2号长园新材料港8栋4楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种改善沟槽型金属氧化物半导体栅源漏电的方法，通过避免沟槽侧壁的栅极氧化层遭受P型杂质体区注入和N型杂质源区注入造成的两次损伤，使得沟槽侧壁的栅极氧化层质量完好，起到较好的栅极与源极隔离作用，从而改善器件的栅源漏电，避免因栅源漏电导致的器件质量下降及器件失效，具有良好的市场应用价值。 |
