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一种解决钝化层对功率器件可靠性影响的方法

基本信息

申请号 CN201910282761.3 申请日 -
公开（公告）号 CN110010508A 公开（公告）日 2019-07-12
申请公布号 CN110010508A 申请公布日 2019-07-12
分类号 H01L21/56;H01L23/31 分类 基本电气元件;
发明人 张二雄 申请（专利权）人 深圳市锐骏半导体股份有限公司
代理机构 深圳众邦专利代理有限公司 代理人 崔亚军
地址 518000广东省深圳市南山区高新中一道2号长园新材料港8栋4楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种解决钝化层对功率器件可靠性影响的方法，功率器件表面包括元胞区和终端区，所述元胞区又分为GATE区域和Source区域，位于元胞区内的GATE区域和Source区域刻开区域,其余元胞区和终端区全部覆盖钝化层，所述终端区除钝化层Gate区域和source区域刻开一小块用于封装后引线外，同时在终端区打开一个或多个较小的刻开区，每个刻开区1um~20um宽，总刻开区的面积小于终端区面积的一半；释放终端区钝化层的膜内应力及可动离子，大大减小钝化层对终端区的影响，解决了因可动离子及应力问题导致的器件失效，大大提升器件的功能及可靠性。