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一种降低VDMOS生产成本的方法

基本信息

申请号	CN201910511087.1	申请日	-
公开（公告）号	CN110176401A	公开（公告）日	2019-08-27
申请公布号	CN110176401A	申请公布日	2019-08-27
分类号	H01L21/336	分类	基本电气元件;
发明人	黄泽军;张二雄	申请（专利权）人	深圳市锐骏半导体股份有限公司
代理机构	深圳众邦专利代理有限公司	代理人	罗郁明
地址	518000 广东省深圳市南山区高新中一道2号长园新材料港8栋4楼
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种降低VDMOS生产成本的方法，包括以下步骤：A、初始氧化层上采用光刻胶做出环区图形和深体区图形，环区图形和深体区图形形成光刻打开区；B、对光刻打开区进行刻蚀，形成深体区及终端环；C、进行高温驱入，生长二次氧化层；D、在有源区进行VDMOS的原胞制作，二次氧化层的保留，为后续源区制作，减少1层光刻做准备；E、生长栅极氧化层，淀积多晶硅栅极；F、做多晶硅栅极的刻蚀，并刻透栅极氧化层，形成体区窗口来制作体区，之后再进行多晶硅的掺杂，同时源区也进行了制作；本发明在保证器件性能的前提下，减少一次光刻及深体区制作过程，来大幅降低成本，成本降低约20%，从而提升器件市场竞争力，具有良好的市场应用价值。