一种降低沟槽型DMOS生产成本的方法
基本信息
| 申请号 | CN201910770069.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110581071A | 公开（公告）日 | 2019-12-17 |
| 申请公布号 | CN110581071A | 申请公布日 | 2019-12-17 |
| 分类号 | H01L21/336（2006.01）; H01L29/78（2006.01） | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄泽军; 张二雄; 刘厚超; 李何莉 | 申请（专利权）人 | 深圳市锐骏半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 深圳众邦专利代理有限公司 | 代理人 | 张晓会 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市南山区高新中一道2号长园新材料港8栋4楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种降低沟槽DMOS生产成本的方法，其特征在于，包括以下步骤，生长介质隔离层，并进行退火回流处理，再进行孔层光刻，刻蚀隔离介质层至硅表面，然后去除光刻胶，采用30度角进行源区注入；分4次进行，每注入1次将硅晶片顺时针旋转90度后进行下一次注入，确保器件要形成的源区和终端N型区均可以被注入到；本发明在传统的沟槽型DMOS工艺流程基础上，开发新工艺流程，减少现有技术中F步骤中一次源区光刻层制作过程来大幅降低器件生产成本，并保持器件高性能，具有良好的市场应用价值。 |
