大尺寸钼溅射靶材及采用化学气相沉积法的制备工艺
基本信息
| 申请号 | CN202111621882.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114318256A | 公开（公告）日 | 2022-04-12 |
| 申请公布号 | CN114318256A | 申请公布日 | 2022-04-12 |
| 分类号 | C23C14/34（2006.01）I;C23C16/14（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 徐从康;马赛;贺涛;陈箫箫 | 申请（专利权）人 | 亚芯半导体材料（江苏）有限公司 |
| 代理机构 | 常州市权航专利代理有限公司 | 代理人 | 周洁 |
| 地址 | 213000江苏省常州市天宁区青洋北路143号创业服务中心内 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于钼溅射靶材技术领域，具体涉及一种大尺寸钼溅射靶材及采用化学气相沉积法的制备工艺。所述大尺寸钼溅射靶材的制备方法，包括以下步骤：将钼与三氟化氮在高温条件下反应，制备出粗品六氟化钼；对所述粗品六氟化钼经真空蒸馏法和吸附法提纯后，得到高纯度六氟化钼；采用化学气相沉积法，用还原气体将高纯度六氟化钼还原成金属钼；将金属钼沉积到基体材料上，一步法生产出大尺寸钼溅射靶材。本发明制作的超高纯钼溅射靶材以高纯三氟化氮、高纯钼粉和还原气体（氢气）为原料，在化学气相沉积设备中一步完成，反应过程为连续气相反应，产品各向一致性和批次间一致性远优于传统钼靶材。 |
