一种低阻值高耐压PTC热敏电阻器制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202011438206.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112670046A | 公开（公告）日 | 2021-04-16 |
| 申请公布号 | CN112670046A | 申请公布日 | 2021-04-16 |
| 分类号 | H01C17/00;H01C17/30;H01C7/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 孙丛锦;陈方权 | 申请（专利权）人 | 成都顺康三森电子有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京中政联科专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 李阳 |
| 地址 | 611730 四川省成都市郫县成都现代工业港北片区港北4路539号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种低阻值高耐压PTC热敏电阻器制造方法，包括配料、喷雾造粒、成型、烧结、化学镀镍、外缘磨削、制备银电极、耐压筛选以及测量。本发明中，通过在BaTiO3PTC微晶材料中添加BP(BaPbO3)微晶,从而改变和优化PTC材料性能,1)可正向移动居里点,BP移动效率最高可达6.5℃/mol％；且最高添加量为3.0mol％。2)能显著实现晶粒均匀细化及增加晶界势垒层厚度,从而实现PTC材料在低阻化同时提高温度系数与升阻比。 |
