芯片用高导热陶瓷散热器的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201811332328.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109320255A | 公开（公告）日 | 2019-02-12 |
| 申请公布号 | CN109320255A | 申请公布日 | 2019-02-12 |
| 分类号 | C04B35/581;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/64 | 分类 | 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕; |
| 发明人 | 管军凯;秦明礼;石磊;鲁慧峰;何庆;王月隆 | 申请（专利权）人 | 厦门钜瓷科技有限公司 |
| 代理机构 | 厦门原创专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 厦门钜瓷科技有限公司 |
| 地址 | 361003 福建省厦门市市头路98号二层C室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了芯片用高导热陶瓷散热器的制备方法，包括以下步骤：S1，将氮化铝粉末与烧结助剂在易挥发有机溶剂中进行球磨混合后与粘结剂进行混炼，然后冷却后取出喂料；S2，将喂料破碎后，利用注射成形成形，注射温度为150～200℃，得氮化铝生坯散热翅片；S3，根据选用粘结剂的不同，采用不同的方式对所述氮化铝生坯散热翅片进行脱脂，得到脱脂氮化铝坯体散热翅片；S4，在流动惰性气体氛围下，将脱脂氮化铝坯体散热翅片烧结冷却至室温，得到注射成形氮化铝陶瓷散热翅片；S5，直接将所述氮化铝陶瓷散热翅片的背面进行金属化，并将金属层刻蚀导电线路，最后将所述将芯片直接焊接封装在氮化铝陶瓷散热器背面。 |
