首页/ 感至源电子科技（上海）有限公司/ 专利详情

多层自屏蔽型压电薄膜传感器及制备方法

基本信息

申请号 CN201510934783.5 申请日 -
公开（公告）号 CN105552209B 公开（公告）日 2019-02-15
申请公布号 CN105552209B 申请公布日 2019-02-15
分类号 H01L41/083;H01L41/193;H01L41/27 分类 基本电气元件;
发明人 孟召龙 申请（专利权）人 感至源电子科技（上海）有限公司
代理机构 上海精晟知识产权代理有限公司 代理人 感至源电子科技（上海）有限公司
地址 200434 上海市杨浦区逸仙路13号25栋1701C4室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明的提供的一种多层自屏蔽型压电薄膜传感器及制备方法，绝缘层通过金属电极复合蚀刻装置，复合得到第二电极层、绝缘层和信号层的第一三层复合材料；第二PET层与第一三层复合材料复合在一起，形成四层复合材料；压电薄膜通过金属电极复合蚀刻装置，复合得到压电薄膜和第一地层的二层复合材料；二层复合材料与保护层复合在一起，形成第二三层复合材料；将第二三层复合材料进行电极化；将电极化后的第二三层复合材料和四层复合材料复合在一起。其优点在于生产方式简单，一次性成功，效率高，安全；理论上可生产任意宽度的传感器，使得大面积、超大面积的多层自屏蔽型聚丙烯高分子压电薄膜传感器成为可能。