一种硅基异质结薄膜太阳能电池的制作方法
基本信息
| 申请号 | CN200910042743.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101488537B | 公开（公告）日 | 2010-08-04 |
| 申请公布号 | CN101488537B | 申请公布日 | 2010-08-04 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0368(2006.01)I;H01L31/0376(2006.01)I;H01L31/0256(2006.01)I;H01L31/042(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 万青;周棋;赵斌;易宗凤 | 申请（专利权）人 | 湖南潇湘神光新能源科技有限公司 |
| 代理机构 | 长沙市融智专利事务所 | 代理人 | 邓建辉 |
| 地址 | 410082 湖南省长沙市河西麓山南路2号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种硅基异质结薄膜太阳能电池的制作方法，步骤包括：1)采用PECVD、等离子体增强物理气相沉积技术在透明导电玻璃上沉积一层厚度小于100纳米的N型非晶硅薄膜或P型非晶硅薄膜；2)按硅质量百分比30％-90％的比例，混合高纯P型或N型硅粉、EVA、PET或PI塑料单体得到复合原料；3)采用印刷吹膜或者流延等塑料成膜工艺在N型非晶硅薄膜或P型非晶硅薄膜上形成一层厚度适当的P型硅/塑料复合薄膜或N型硅/塑料复合薄膜；4)最后采用真空蒸发、溅射工艺制作铝背电极或银背电极，形成多晶硅/非晶硅异质结薄膜太阳能电池。本发明避免了大颗粒多晶硅薄膜难于直接沉积的难点，成本低廉，工艺简单，且光电转换效率高，具有广泛的产业化价值。 |
