铜铟镓硒薄膜及其制备方法、装置、太阳能电池

基本信息

申请号 CN201811216853.3 申请日 -
公开(公告)号 CN109273544A 公开(公告)日 2019-01-25
申请公布号 CN109273544A 申请公布日 2019-01-25
分类号 H01L31/0392;H01L31/0445;H01L31/18 分类 基本电气元件;
发明人 来霸;卫成刚 申请(专利权)人 华夏易能(南京)新能源有限公司
代理机构 北京尚伦律师事务所 代理人 华夏易能(南京)新能源有限公司
地址 210000 江苏省南京市南京经济技术开发区疏港路1号龙潭物流基地A-29号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明关于一种铜铟镓硒薄膜及其制备方法、装置、太阳能电池。该方法包括:在惰性气体的等离子体环境下,对带钼膜的衬底蒸发硒;蒸发硒过程中,对衬底施以第一偏置电压值,使惰性气体的等离子体形成等离子体荷能粒子并轰击衬底上的硒原子;在对衬底施加的偏置电压从第一偏置电压值降至第二偏置电压值的过程中,共蒸发铟、镓和硒,使等离子体荷能粒子轰击衬底上的铟原子、镓原子和硒原子;共蒸发铜和硒,得到富铜的薄膜;在对衬底施以第三偏置电压值,且在具有惰性气体的等离子体环境下,共蒸发铟、镓和硒,使等离子体荷能粒子轰击衬底上的铟原子、镓原子和硒原子,得到富铟的铜铟镓硒薄膜。该技术方案可获得晶体结构优良、缺陷少的铜铟镓硒薄膜。