一种低镉CIGS基薄膜太阳能电池及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201510453849.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105118883B | 公开（公告）日 | 2017-04-26 |
| 申请公布号 | CN105118883B | 申请公布日 | 2017-04-26 |
| 分类号 | H01L31/068(2012.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/0296(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 孙合成;王奇;于化丛 | 申请（专利权）人 | 华夏易能（南京）新能源有限公司 |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人 | 李纪昌;曹翠珍 |
| 地址 | 210042 江苏省南京市经济技术开发区疏港路1号龙潭物流基地A-29号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种低镉CIGS基薄膜太阳能电池及其制备方法，该薄膜太阳能电池由下至上依次包括衬底、背电极、CIGS吸收层、CdS层和上电极，所述CIGS吸收层表面的Cu原子被Cd原子部分置换形成表面改性层，所述CdS层的厚度为20‑35nm。制备方法包括如下工序：a，在衬底上沉积背电极；b，在背电极上沉积CIGS吸收层；c，在CIGS吸收层上沉积CdS层；d，在CdS层表面沉积上电极；所述步骤c在沉积CdS层之前，还包括对CIGS表面进行改性处理的工序。本发明在维持CIGS电池整体高转化效率的同时，大大降低了CdS层厚度，大幅度降低了整个电池组件的Cd含量。 |
