一种芯片封装结构制作方法及芯片封装结构
基本信息
| 申请号 | CN202111091989.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113808958A | 公开（公告）日 | 2021-12-17 |
| 申请公布号 | CN113808958A | 申请公布日 | 2021-12-17 |
| 分类号 | H01L21/48（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L23/13（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 章霞 | 申请（专利权）人 | 成都奕成集成电路有限公司 |
| 代理机构 | 成都极刻智慧知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 张红平 |
| 地址 | 610000四川省成都市高新区尚阳路12号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请实施例提供的芯片封装结构制作方法及芯片封装结构，涉及封装技术领域，在上述方法中，先在粘连层上制作芯片限位结构，然后再在芯片限位结构所形成的芯片限位孔中放置芯片，最后通过在芯片与芯片限位结构之间填充第一塑封材料的形式对芯片进行封装。如此通过芯片限位孔对芯片进行限位，再进行封装，可以避免第一塑封材料在进行封装的过程中因高温下流动及第一塑封材料的收缩而引起的芯片位置偏移，确保芯片封装质量。 |
