一种用于抗单粒子翻转存储器的可选位宽纠检错电路专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种用于抗单粒子翻转存储器的可选位宽纠检错电路

基本信息

申请号	CN201911167032.X	申请日	-
公开（公告）号	CN110931074B	公开（公告）日	2021-09-28
申请公布号	CN110931074B	申请公布日	2021-09-28
分类号	G11C29/42（2006.01）I;G06F11/10（2006.01）I	分类	信息存储;
发明人	陈雷;刘亚泽;王文锋;李学武;孙华波;孙健爽;郭琨;倪劼;赫彩;甄淑奇	申请（专利权）人	北京时代民芯科技有限公司
代理机构	中国航天科技专利中心	代理人	张辉
地址	100076北京市丰台区东高地四营门北路2号
法律状态	-

摘要

一种用于抗单粒子翻转存储器的可选位宽纠检错电路，包括纠检错编码模块和纠检错解码模块；纠检错编码模块能够对11～64位宽的输入数据进行校验码编码操作，生成用于对数据进行纠检错的8位校验码，和输入数据一起输出给纠检错解码模块；纠检错解码模块对数据信号进行解码校验，当数据信号中存在一位错误时输出一位错误提示以及错误位置，并对错误进行纠正，当数据信号中存在两位错误时输出两位错误提示。本发明能够使用较少电路面积，在不占用过多的数据位宽前提下实现对11～64位数据的校验和纠检错，配合耐多位单粒子翻转的存储器结构实现对存储器抗单粒子翻转指标的提升，并可根据用户需求选择启用纠错和检错功能或只启用其中之一，实现更好的灵活性。