高频发生电路
基本信息
申请号 | CN202021949769.5 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN213072609U | 公开(公告)日 | 2021-04-27 |
申请公布号 | CN213072609U | 申请公布日 | 2021-04-27 |
分类号 | H03K17/687 | 分类 | 基本电子电路; |
发明人 | 赵双盟;冯志刚 | 申请(专利权)人 | 四川长虹电子部品有限公司 |
代理机构 | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) | 代理人 | 吴中伟 |
地址 | 622651 四川省绵阳市安州工业园区科兴路四川长虹电子部品有限公司 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本实用新型涉及高频技术领域,具体涉及一种高频发生电路,能够根据实际需要输出高频正弦波,且结构简单实用,成本低,易于操作。本实用新型高频发生电路,包括第一N沟道MOS管、第二N沟道MOS管、第一二极管、第二二极管、第一电容以及第一电感,第一N沟道MOS管以及第二N沟道MOS管的栅极与外部电源连接,源极接地,第一N沟道MOS管的漏极与第一二极管的阴极连接,第一二极管的阳极与第二N沟道MOS管的栅极连接,第二N沟道MOS管的漏极与第二二极管的阴极连接,第二二极管的阳极与第一N沟道MOS管的栅极连接,第一电容以及第一电感的两端分别与第一沟道MOS管以及第二N沟道MOS管的漏极连接。本实用新型适用于高频发生设备。 |
