用于全固态锂离子电池的超薄锂负极膜的制备工艺专利查询专利号|摘要-满商公司网

用于全固态锂离子电池的超薄锂负极膜的制备工艺

基本信息

申请号	CN201910518371.1	申请日	-
公开（公告）号	CN110137428A	公开（公告）日	2019-08-16
申请公布号	CN110137428A	申请公布日	2019-08-16
分类号	H01M4/04;H01M4/1391;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/35	分类	基本电气元件;
发明人	张渊君;董启妍;刘志华;胡家漓;刘爽;秦天兴	申请（专利权）人	新乡芯蕴智能科技有限公司
代理机构	昆明合众智信知识产权事务所	代理人	新乡芯蕴智能科技有限公司
地址	453000 河南省新乡市红旗区新东产业集聚区新东创业园9号B2层
法律状态	-

摘要

本发明公开了本发明提供了一种用于全固态锂离子电池的超薄锂负极膜的制备工艺，包括如下步骤：在基片上通过磁控溅射方法沉积Cu3N薄膜，其中Cu3N薄膜的厚度为10‑12nm；在Cu3N薄膜上通过磁控溅射方法沉积第一TiO2薄膜，其中第一TiO2薄膜的厚度为12‑15nm；在第一TiO2薄膜上通过磁控溅射方法沉积Zn3N4薄膜，其中Zn3N4薄膜的厚度为10‑12nm；在Zn3N4薄膜上通过磁控溅射方法沉积第一Li4Ti5O12薄膜，其中第一Li4Ti5O12薄膜的厚度为10‑12nm；在第一Li4Ti5O12薄膜上通过磁控溅射方法沉积第二TiO2薄膜，其中第二TiO2薄膜的厚度为10‑12nm；在第二TiO2薄膜上通过磁控溅射方法沉积Fe3N薄膜，其中Fe3N薄膜的厚度为7‑9nm；在Fe3N薄膜上通过磁控溅射方法沉积Al2O3薄膜，其中Al2O3薄膜的厚度为7‑9nm；以及在Al2O3薄膜上通过磁控溅射方法沉积第二Li4Ti5O12薄膜。