碳化硅晶片及其加工方法
基本信息
| 申请号 | CN202110055105.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112809458A | 公开（公告）日 | 2021-05-18 |
| 申请公布号 | CN112809458A | 申请公布日 | 2021-05-18 |
| 分类号 | B24B1/00;B24B7/17;B24B7/22;B24B37/04;B24B37/08;B24B49/16;B24B49/00;C09G1/02 | 分类 | 磨削；抛光; |
| 发明人 | 徐良;朱振佳;蓝文安;占俊杰;刘建哲;余雅俊;郭炜;叶继春;夏建白 | 申请（专利权）人 | 金华博蓝特新材料有限公司 |
| 代理机构 | 北京辰权知识产权代理有限公司 | 代理人 | 金铭 |
| 地址 | 321000 浙江省金华市婺城区秋滨街道南二环西路2688号1#厂房1楼南侧 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种碳化硅晶片及其加工方法，碳化硅晶片的加工方法包括：将清洗分类后的碳化硅晶片进行双面粗磨；将经过双面粗磨后的碳化硅晶片进行双面精磨；将经过双面精磨后的碳化硅晶片进行催化剂辅助化学机械抛光；其中，抛光液为采用第一研磨颗粒、第一分散剂、氧化剂、催化剂、PH调节剂及去离子水形成的酸性胶体；所述研磨颗粒、分散剂、氧化剂、催化剂、PH调节剂及去离子水的质量占比为5～15：2～5：10～20：3～5：5～10：45～75。该加工方法大大缩短了化学机械抛光工艺过程所需要的时间，并获得表面符合平整度要求的碳化硅单晶外延片。 |
