基于双面研磨设备的晶片研磨工艺及半导体晶片
基本信息
| 申请号 | CN202110476836.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113231957A | 公开（公告）日 | 2021-08-10 |
| 申请公布号 | CN113231957A | 申请公布日 | 2021-08-10 |
| 分类号 | B24B37/08（2012.01）I;B24B37/28（2012.01）I;B24B37/34（2012.01）I;B24B47/12（2006.01）I;H01L21/304（2006.01）I | 分类 | 磨削；抛光; |
| 发明人 | 徐良;朱振佳;蓝文安;占俊杰;刘圣龙;刘建哲;余雅俊;郭炜;夏建白 | 申请（专利权）人 | 金华博蓝特新材料有限公司 |
| 代理机构 | 北京辰权知识产权代理有限公司 | 代理人 | 佟林松 |
| 地址 | 321000浙江省金华市婺城区秋滨街道南二环西路2688号1#厂房1楼南侧 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种基于双面研磨设备的晶片研磨工艺及半导体晶片，该晶片研磨工艺包括以下步骤：驱动太阳轮和内齿圈分别绕太阳轮的中心轴线同向自转；调控太阳轮和内齿圈的转速大小以调节游星轮的自转方向以及公转速度；驱动上研磨盘和下研磨盘分别绕太阳轮的中心轴线自转；下研磨盘的转动方向与太阳轮和内齿圈的转动方向相同；上研磨盘的转动方向和下研磨盘的转动方向相反；下研磨盘的转动角速度大于上研磨盘的转动角速度；上研磨盘、下研磨盘、太阳轮和内齿圈的转速关系满足：ω下‑ω上＝2（ω太R太+ω内R太）/（R太+R内）。通过优化双面研磨设备的运行参数获得低TTV、LTV、Bow、Warp的晶片。 |
