提高晶片抛光厚度均匀性的方法
基本信息
| 申请号 | CN202110406099.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113290426A | 公开（公告）日 | 2021-08-24 |
| 申请公布号 | CN113290426A | 申请公布日 | 2021-08-24 |
| 分类号 | B24B1/00（2006.01）I;B24B49/04（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I;H01L21/66（2006.01）I | 分类 | 磨削；抛光; |
| 发明人 | 徐良;曹力力;占俊杰;邢晓鹏;蓝文安;刘建哲;余雅俊;夏建白;李京波;黄仕华;孟秀清;刘圣龙 | 申请（专利权）人 | 金华博蓝特新材料有限公司 |
| 代理机构 | 北京辰权知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王志红 |
| 地址 | 321000浙江省金华市婺城区秋滨街道南二环西路2688号1#厂房1楼南侧 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体生产加工领域，具体公开了一种提高晶片抛光厚度均匀性的方法，包括以下步骤：使用抛光头对多个呈环形排布的测试晶片进行抛光处理，得到抛光后的测试晶片；获取抛光后每个测试晶片不同位置的厚度数据；根据所述厚度数据确定所述抛光头不同位置的压力值；根据所述抛光头不同位置的压力值确定校正垫板的形状；将确定的校正垫板放置在所述抛光头与抛光盘之间；对抛光盘上的待处理晶片进行抛光处理。根据测试晶片不同位置的厚度数据确定抛光头不同位置的压力分布，进而确定校正垫板的形状，通过校正垫板的加入来调节抛光头的压力均匀性。 |
