碳化硅晶体的生长装置及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010357948.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111455457B | 公开（公告）日 | 2021-09-21 |
| 申请公布号 | CN111455457B | 申请公布日 | 2021-09-21 |
| 分类号 | C30B23/00（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 徐良;杨新鹏;蓝文安;刘建哲;余雅俊;夏建白;李京波;郭炜;叶继春 | 申请（专利权）人 | 金华博蓝特新材料有限公司 |
| 代理机构 | 北京辰权知识产权代理有限公司 | 代理人 | 佟林松 |
| 地址 | 321000浙江省金华市婺城区秋滨街道南二环西路2688号1#厂房1楼南侧 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种碳化硅晶体的生长装置及其制备方法，其中生长装置包括坩埚、安装有籽晶的籽晶座、石墨过滤板、搅拌装置、顶部加热器和底部加热器，籽晶座、石墨过滤板和搅拌装置均位于坩埚内，其中籽晶座固定于坩埚的顶部，且籽晶向下设置，石墨过滤板位于坩埚的中间位置，并将坩埚分为上半部和下半部，搅拌装置位于下半部，顶部加热器和底部加热器均设置于坩埚外；制备方法包括利用该生长装置进行碳化硅晶体生长的步骤。本发明的生长装置及其制备方法制备的碳化硅杂质少、纯度高、不存在包裹物缺陷，且原料利用率高，节约成本。 |
