一种高硼掺杂P型衬底TVS器件外延片
基本信息
| 申请号 | CN201821665467.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN208722885U | 公开（公告）日 | 2019-04-09 |
| 申请公布号 | CN208722885U | 申请公布日 | 2019-04-09 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I; H01L29/861（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 朱军; 杨敏红; 单慧; 刘韵吉 | 申请（专利权）人 | 桑德斯微电子器件（南京）有限公司 |
| 代理机构 | 南京瑞弘专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 陈建和 |
| 地址 | 211113 江苏省南京市江宁经济技术开发区纬七路 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种高硼掺杂P型衬底TVS器件的外延片，在TVS器件外延片的P++衬底上设有氧化层加多晶硅层作为外延片衬底背面的密封材料，氧化层为二氧化硅，在P++衬底材料上进行热氧化生成，二氧化硅层的厚度在0.1‑1.5微米；在二氧化硅层表面设有多晶硅层，多晶硅的厚度在0.1‑2.0微米。 |
