一种高磷掺杂N型截止环结构的肖特基二极管及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010126659.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111312803A | 公开（公告）日 | 2020-06-19 |
| 申请公布号 | CN111312803A | 申请公布日 | 2020-06-19 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 胡明辉;杨敏红;单慧;刘韵吉 | 申请（专利权）人 | 桑德斯微电子器件（南京）有限公司 |
| 代理机构 | 南京瑞弘专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 陈建和 |
| 地址 | 211113江苏省南京市江宁经济技术开发区神舟路17号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种高磷掺杂N型截止环结构的肖特基二极管，以N型半导体为基片，基片上形成N‑外延层，N‑外延层上为阳极使用钼或铝等材料制成阻档层；其特征是，在肖特基二极管划片道注入了磷离子。截止环设计在划片道内或外，截止环宽度应大于原有的划片道宽度。在截止环腐蚀完成后安排磷离子注入，这时表面除了截止环打开，其余部分皆被光刻胶覆盖，磷离子注入，在半导体的表面达到最大浓度。 |
