一种高压快恢复二极管芯片生产工艺
基本信息
| 申请号 | CN201410551171.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104332503B | 公开（公告）日 | 2019-01-25 |
| 申请公布号 | CN104332503B | 申请公布日 | 2019-01-25 |
| 分类号 | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 孙澜;单慧;朱军;刘韵吉;杨敏红 | 申请（专利权）人 | 桑德斯微电子器件（南京）有限公司 |
| 代理机构 | 南京知识律师事务所 | 代理人 | 桑德斯微电子器件（南京）有限公司 |
| 地址 | 211113 江苏省南京市江宁区经济技术开发区纬七路 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高压快恢复二极管芯片生产工艺，属于半导体芯片领域。一种高压快恢复二极管芯片，包括芯片、N+截止环、表面特殊钝化层和P+阳极，所述的芯片为快恢复二极管芯片；芯片截层从下向上依次为芯片、N+截止环、表面特殊钝化层和P+阳极。特殊钝化层包含电场限制环。芯片生产工艺采用电场限制环的方法，成功调制快恢复二极管表面电场，在同样条件下，增加了快恢复二极管的耐压；采用特殊表面钝化层，中和氧化层中表面电荷，提高了快恢复二极管耐压的稳定性，降低了反向漏电流。它具有开关损耗低，击穿电压高，漏电流小，反向功耗少的优点，增强了二极管的耐压稳定性及可靠性，延长了二极管的寿命。 |
