一种新型发光二极管量子阱及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201811022466.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109300853B | 公开（公告）日 | 2022-03-15 |
| 申请公布号 | CN109300853B | 申请公布日 | 2022-03-15 |
| 分类号 | H01L21/86（2006.01）I;H01L33/00（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/12（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 孙旭东;祝光辉;任亮亮;曾海军 | 申请（专利权）人 | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 |
| 代理机构 | 淮安市科文知识产权事务所 | 代理人 | 李锋 |
| 地址 | 223001江苏省淮安市景秀路6号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于半导体技术领域，提供了一种新型发光二极管量子阱及制备方法，包括蓝宝石衬底以及依次层叠在蓝宝石衬底上的缓冲层、未掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、应力释放层、多量子阱结构以及p型氮化镓层；所述多量子阱结构包括5～15个周期量子阱结构单元，每个量子阱结构单元包括纯氮气环境生长的铟镓氮量子阱区、纯氮气环境生长的AlxGa1‑xN Cap区以及纯氢气环境生长的AlmGa1‑mN量子垒区。本发明纯氮气环境生长的铟镓氮量子阱区与AlxGa1‑xN Cap区，得到铟组分掺杂良好的铟镓氮量子阱区。纯氢气环境下生长的AlmGa1‑mN量子垒区，生长缺陷少，晶体质量得到改善。 |
