一种套刻误差的测量计算方法
基本信息
| 申请号 | CN202111191680.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113917802A | 公开（公告）日 | 2022-01-11 |
| 申请公布号 | CN113917802A | 申请公布日 | 2022-01-11 |
| 分类号 | G03F7/20（2006.01）I | 分类 | 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕; |
| 发明人 | 袁俊春;邵康鹏;陈海平;杨慎知;刘慧斌 | 申请（专利权）人 | 杭州广立微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 江苏坤象律师事务所 | 代理人 | 赵新民 |
| 地址 | 310012浙江省杭州市西湖区西斗门路3号天堂软件园A幢15楼F1座 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种套刻误差的测量计算方法，包括：按预置偏离量设计第一光罩和第二光罩，用于制成测试链；获取N条对应不同的所述预置偏移量的测试链，N≥3；测量所述N条测试链的电性参数，以得到的电性参数与对应的所述预置偏移量作为一组参考数据；对所述参考数据进行数据分析，计算得到所述第一光罩和所述第二光罩的套刻误差值。基于电学测量获取套刻误差值，易于实现且得到的结果更接近于真实的套刻误差；便于对工艺进行实时监控，有利于及时调整生产工艺，推进产品良品率持续提高。此外本发明的方法还能够适用于在半导体芯片制作完成后进行重复测试，利于更好的进行工艺问题溯源。 |
