一种基于绝缘体上硅的低应力硅基厚膜及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010705386.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111747377A | 公开（公告）日 | 2020-10-09 |
| 申请公布号 | CN111747377A | 申请公布日 | 2020-10-09 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 分类 | 微观结构技术〔7〕; |
| 发明人 | 方青;胡鹤鸣;邵瑶;张馨丹;顾苗苗;陈华;陈晓峰 | 申请（专利权）人 | 哈尔滨众达电子有限公司 |
| 代理机构 | 昆明人从众知识产权代理有限公司 | 代理人 | 昆明理工大学;国网上海能源互联网研究院有限公司;哈尔滨众达电子有限公司 |
| 地址 | 650093云南省昆明市五华区学府路253号（昆明理工大学） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种基于绝缘体上硅的低应力硅基厚膜及其制备方法，属于半导体制备技术领域。本发明所述低应力硅基厚膜包括衬底硅层、硅氧化物层，包覆层和硅基厚膜层，衬底硅层上设有硅氧化物层，硅氧化物层上沉积有硅基厚膜层，硅基厚膜层上设有网格状沟槽，网格状沟槽将硅基薄膜分割成数个独立单元，网格状沟槽内填充有包覆层；本发明所述硅基厚膜可以改善厚膜内部所受应力不均匀的情况，减小厚膜应力，增大了所沉积的厚膜的最大厚度，能够实现器件的大规模生产。 |
