Ge光电探测器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010718274.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111785791A | 公开（公告）日 | 2020-10-16 |
| 申请公布号 | CN111785791A | 申请公布日 | 2020-10-16 |
| 分类号 | H01L31/024(2014.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 方青;张馨丹;邵瑶;胡鹤鸣;顾苗苗;陈华;张志群;陈晓峰 | 申请（专利权）人 | 哈尔滨众达电子有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 昆明理工大学;国网上海能源互联网研究院有限公司;哈尔滨众达电子有限公司 |
| 地址 | 650000云南省昆明市一二一大街文昌路68号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种Ge光电探测器及其制备方法，其中，Ge光电探测器包括热源层，进一步的还包括导热层；从而通过具有高阻值的热源层作为热源，以升高Ge吸收层的温度，使得Ge吸收层的禁带宽度降低，从而使得能量低于原Ge吸收层禁带宽度的光子被吸收，以增大Ge吸收层的吸收系数，实现Ge光电探测器探测范围的延伸，以扩大应用范围，以及通过位于Ge吸收层与热源层之间的具有较高热导率的导热层，有效地将热源层产生的热源传递到Ge吸收层，从而有效调整Ge光电探测器的响应度；因此，本发明可提供一种制备工艺简单，且可有效提高Ge光电探测器在长波长条件下的吸收系数，以扩大Ge光电探测器的探测范围及应用范围。 |
