一种多层硅光子三维光连接结构

基本信息

申请号 CN201921635661.6 申请日 -
公开(公告)号 CN210803771U 公开(公告)日 2020-06-19
申请公布号 CN210803771U 申请公布日 2020-06-19
分类号 G02B6/12(2006.01)I;G02B6/122(2006.01)I 分类 -
发明人 方青;陈晓铃;顾苗苗;胡鹤鸣;张馨丹;张志群 申请(专利权)人 哈尔滨众达电子有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 650093云南省昆明市五华区学府路253号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型涉及一种多层硅光子三维光连接结构,属于半导体光信号传输技术领域。该多层硅光子包括从下至上的SOI晶圆衬底、晶圆埋氧层、反射层、n层光波导层和波导的包层,所述n层光波导层通过多层硅光子三维光连接结构实现光在两波导层之间的传输,三维光连接结构包括2n‑1个波导光栅,相邻波导层的波导光栅刻蚀面相向。该三维光连接结构由波导光栅构成,通过成对设置正向与倒置两波导光栅实现光在两波导层之间的传输,可有效解决45°反射镜放置困难或层间高度差小,工艺难度大的问题。