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一种基于绝缘体上硅的低应力硅基厚膜

基本信息

申请号 CN202021442683.3 申请日 -
公开（公告）号 CN212609552U 公开（公告）日 2021-02-26
申请公布号 CN212609552U 申请公布日 2021-02-26
分类号 H01L21/311(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I 分类 微观结构技术〔7〕;
发明人 方青;胡鹤鸣;邵瑶;张馨丹;顾苗苗;陈华;陈晓峰 申请（专利权）人 哈尔滨众达电子有限公司
代理机构 昆明人从众知识产权代理有限公司 代理人 何娇
地址 650093云南省昆明市五华区学府路253号（昆明理工大学）
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开一种基于绝缘体上硅的低应力硅基厚膜，属于半导体制备技术领域。本实用新型所述低应力硅基厚膜包括衬底硅层、硅氧化物层，包覆层和硅基厚膜层，衬底硅层上设有硅氧化物层，硅氧化物层上沉积有硅基厚膜层，硅基厚膜层上设有网格状沟槽，网格状沟槽将硅基薄膜分割成数个独立单元，网格状沟槽内填充有包覆层；本实用新型所述硅基厚膜可以改善厚膜内部所受应力不均匀的情况，减小厚膜应力，增大了所沉积的厚膜的最大厚度，能够实现器件的大规模生产。