一种高灵敏度长曝光时间像素结构
基本信息
| 申请号 | CN201910286920.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109936714B | 公开（公告）日 | 2019-06-25 |
| 申请公布号 | CN109936714B | 申请公布日 | 2019-06-25 |
| 分类号 | H04N5/374(2011.01)I;H04N5/235(2006.01)I | 分类 | 电通信技术; |
| 发明人 | 李扬;周泉;马成;武大猷;王欣洋 | 申请（专利权）人 | 杭州长光辰芯微电子有限公司 |
| 代理机构 | 长春吉大专利代理有限责任公司 | 代理人 | 王淑秋 |
| 地址 | 310053 浙江省杭州市滨江区浦沿街道六和路368号一幢（南）三楼E3044室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种高灵敏度长曝光时间像素结构，该像素结构中设置额外的势阱和溢出开关；转移开关打开后，当浮置扩散节点的势阱不能容纳光电二极管中电荷时，多余的光电荷通过溢出开关被导入到新增加的势阱中，新势阱能够不断容纳来自光电二极管中的光电荷。像素不需要复位过程，不需要等待信号读出后对光电二极管复位，电荷转移结束后像素就开始曝光，像素的最大曝光时间为一个行时。本发明直接省去复位步骤，从而节省了复位时间和信号读出时间。同时相比独立曝光时间像素，其电路结构更加简单，极大地方便了像素版图设计和相应的时序控制。 |
