首页/ 天津奥纳富霖科技有限公司/ 专利详情

一种单体抗直流分量磁芯的制做方法

基本信息

申请号 CN201910168379.X 申请日 -
公开（公告）号 CN109786099A 公开（公告）日 2019-05-21
申请公布号 CN109786099A 申请公布日 2019-05-21
分类号 H01F41/02（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 李伟; 李雪; 闫晓茹; 纪付江; 李宝彪; 孙利军 申请（专利权）人 天津奥纳富霖科技有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 301900 天津市蓟州区天津专用汽车产业园蓟运河大街20号二层
法律状态 -

摘要

摘要 一种单体抗直流分量磁芯的制做方法，它涉及磁芯制作领域，具体涉及一种单体抗直流分量磁芯的制做方法。选用非晶钴基非晶材料，厚度在23um至26um的合金材料；把真空退火炉温度升到预设温度300度；把绕制好的磁芯放进步骤三中的真空退火炉内进行退火处理；用仪表控制退火的温度，从300度开始，并利用80分钟将温度升到350度，再保温70分钟使磁芯部分晶化，全部过程不开真空泵使磁芯氧化处理，保温结束后取出磁芯进行快速降温至室温；采用上述技术方案后，本发明有益效果为：其制作工艺简单，效率高，生产周期短速度快，不但解决了磁芯导磁率线性问题，还有着减少人工，降低生产成本的优点。