半导体结构及其形成方法和人工智能芯片及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN201910973559.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110707115B | 公开（公告）日 | 2022-06-17 |
| 申请公布号 | CN110707115B | 申请公布日 | 2022-06-17 |
| 分类号 | H01L27/146（2006.01）I;B81B7/00（2006.01）I;B81B7/02（2006.01）I;B81C1/00（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 余兴;蒋维楠 | 申请（专利权）人 | 浙江清华长三角研究院 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 314400浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区隆兴路118号内主办公楼2129室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体结构及其形成方法和人工智能芯片及其形成方法，所述半导体结构包括：第一基底，所述第一基底具有非感应面，所述第一基底包括图像传感区和微机电系统区，所述图像传感区内具有图像传感器，所述微机电系统区内具有微机电系统器件；与所述第一基底键合的第二基底，所述非感应面朝向所述第二基底，所述第二基底包括存储区，所述存储区在所述第一基底表面具有第一投影，所述图像传感区在所述第一基底表面的投影在所述第一投影的范围内，且所述微机电系统区在所述第一基底表面的投影在所述第一投影的范围内。所述半导体结构能够增加单个芯片功能、减少芯片的占用面积、提高芯片的集成度并且降低芯片的成本。 |
