耗尽型沟槽晶体管及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202210346331.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114639608A | 公开（公告）日 | 2022-06-17 |
| 申请公布号 | CN114639608A | 申请公布日 | 2022-06-17 |
| 分类号 | H01L21/336（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 晋虎;万欣;邓辉;张辰晨;杨春益 | 申请（专利权）人 | 浙江清华长三角研究院 |
| 代理机构 | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 314000浙江省嘉兴市南湖区亚太路705号16FA16-12室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开一种耗尽型沟槽晶体管及其形成方法，所述形成方法包括：提供衬底；在所述衬底内形成第一沟槽；在所述衬底内形成自所述衬底表面向衬底内部延伸的掺杂体区和位于所述掺杂体区表面内的源极掺杂层，所述掺杂体区位于所述第一沟槽两侧；对所述第一沟槽侧壁表面进行掺杂，形成位于所述掺杂体区内的反型层；形成至少覆盖所述第一沟槽侧壁表面的栅介质层，所述栅介质层覆盖所述反型层表面；形成填充满所述第一沟槽且位于所述栅介质层表面的第一栅极。上述方法有利于提高形成的耗尽型沟槽晶体管的性能。 |
