一种降低硅片崩边脱晶的装置和方法

基本信息

申请号 CN202110686810.7 申请日 -
公开(公告)号 CN113437006A 公开(公告)日 2021-09-24
申请公布号 CN113437006A 申请公布日 2021-09-24
分类号 H01L21/677(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 周其斌;殷强强;唐福云 申请(专利权)人 江苏润阳世纪光伏科技有限公司
代理机构 南京普睿益思知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 张丽丽
地址 224007江苏省盐城市经济技术开发区漓江路88号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开一种降低硅片崩边脱晶的装置和方法,其装置包括运输网带,所述运输网带的两侧均相对设有若干金属顶针,所述金属顶针包括支撑斜杆,所述支撑斜杆上套设有软壳保护套,其方法包括:将待烧结硅片的两端分别卡放在两侧相应设置的软壳保护套上,两侧支撑斜杆与运输网带之间形成一定的角度,使硅片相对运输网带处于静止状态并能防止硅片左右偏移,软壳保护套可阻止硅片与金属顶针的硬性碰撞。本发明与现有技术相比的优点在于:可防止硅片在运输网带传送的过程中发生偏移,同时可减少硅片与金属顶针的硬性碰撞,从而降低硅片崩边与脱晶不良好的问题。