一种降低硅片崩边脱晶的装置和方法
基本信息
申请号 | CN202110686810.7 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN113437006A | 公开(公告)日 | 2021-09-24 |
申请公布号 | CN113437006A | 申请公布日 | 2021-09-24 |
分类号 | H01L21/677(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 周其斌;殷强强;唐福云 | 申请(专利权)人 | 江苏润阳世纪光伏科技有限公司 |
代理机构 | 南京普睿益思知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 张丽丽 |
地址 | 224007江苏省盐城市经济技术开发区漓江路88号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开一种降低硅片崩边脱晶的装置和方法,其装置包括运输网带,所述运输网带的两侧均相对设有若干金属顶针,所述金属顶针包括支撑斜杆,所述支撑斜杆上套设有软壳保护套,其方法包括:将待烧结硅片的两端分别卡放在两侧相应设置的软壳保护套上,两侧支撑斜杆与运输网带之间形成一定的角度,使硅片相对运输网带处于静止状态并能防止硅片左右偏移,软壳保护套可阻止硅片与金属顶针的硬性碰撞。本发明与现有技术相比的优点在于:可防止硅片在运输网带传送的过程中发生偏移,同时可减少硅片与金属顶针的硬性碰撞,从而降低硅片崩边与脱晶不良好的问题。 |
