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实现MPI基材FPC天线性能改进的结构及制备方法

基本信息

申请号 CN202010322201.9 申请日 -
公开（公告）号 CN111405751A 公开（公告）日 2020-07-10
申请公布号 CN111405751A 申请公布日 2020-07-10
分类号 H05K1/03 分类 其他类目不包含的电技术;
发明人 钟骐羽;金宇;王洋;顾斌;胡桑苒 申请（专利权）人 上海科谷纳新材料科技有限公司
代理机构 苏州国诚专利代理有限公司 代理人 王丽
地址 200000 上海市金山区金山卫镇秋实路688号1号楼5单元352室Q座
法律状态 -

摘要

摘要 本发明实现MPI基材FPC天线性能改进的结构及制备方法，包括若干组周期交替排列的基底层和表面层，基底层为具有亲水性和弹性的高分子材料层，表面层为氟化硅氧烷材料，基底层和表面层之间通过耦合作用力互相结合，形成特殊的作用键，结成完整、牢固的软硬双层涂覆结构。本发明提供的实现MPI基材FPC天线性能改进的结构及制备方法，基底层和表面层互相结合后的MPI基材FPC天线表面具有低极性含氟分子团，介电常数εr不大于3，介电常数降低，总厚度0.3‑5um，不会对天线的厚度造成影响，弹性基底层还能吸收一部分外来应力，提供一定的形变和位移空间，对天线的空间设计灵活性同样不会造成负面影响。