一种半导体器件的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202111316940.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114050135A | 公开（公告）日 | 2022-02-15 |
| 申请公布号 | CN114050135A | 申请公布日 | 2022-02-15 |
| 分类号 | H01L23/367（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄晓波;宋向东 | 申请（专利权）人 | 江西龙芯微科技有限公司 |
| 代理机构 | 南昌金轩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 桑耀 |
| 地址 | 337016江西省萍乡市湘东区下埠产业园西扩区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件的制造技术领域，公开了一种半导体器件的制造方法，其包括以下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构，且在所述栅极结构两侧形成有侧壁结构，所述栅极结构包括依次层叠的栅极介电层、栅介质层、栅电极、栅极材料层和栅极硬掩蔽层，在所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成凹槽，并对凹槽进行防漏电处理，去除所述侧壁结构以及栅介质层，在所述栅电极侧壁形成形成掺杂二氧化硅层。本发明制备的半导体器件有效避免出现漏电流的情况，可以减少热扩散时间，避免了高的热量造成半导体器件的性能发生改变，提升半导体器件的性能。 |
