一种PECVD设备
基本信息
申请号 | CN202123071472.0 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN216919399U | 公开(公告)日 | 2022-07-08 |
申请公布号 | CN216919399U | 申请公布日 | 2022-07-08 |
分类号 | C23C16/455(2006.01)I;C23C16/50(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
发明人 | 李时俊;杨宝立;张数俊 | 申请(专利权)人 | 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 |
代理机构 | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 | 代理人 | - |
地址 | 518118广东省深圳市坪山区龙田街道竹坑社区金牛东路62号一层至六层 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本实用新型涉及一种PECVD设备。该PECVD设备,包括反应炉,反应炉的一端设有排气端盖;排气端盖上设有若干个淋气管,淋气管为阵列式分布;淋气管上设有若干个喷气孔;喷气孔的相邻间距相等;喷气孔的孔径依次增大。通过该PECVD设备中通过在排气端盖侧设置淋气管控制反应炉中气体的均匀程度,从而使制得的Si3N4薄膜厚度更均匀。 |
