形成太阳电池掺杂区的方法
基本信息
申请号 | CN201310571141.4 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN103633188A | 公开(公告)日 | 2014-03-12 |
申请公布号 | CN103633188A | 申请公布日 | 2014-03-12 |
分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 喻翼晃;邱发清 | 申请(专利权)人 | 江西弘宇太阳能热水器有限公司 |
代理机构 | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 汤东凤 |
地址 | 334000 江西省上饶市万年县丰收工业园 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 种形成太阳电池掺杂区的方法,包括以下步骤:(1)在一半导体基片的表面形成一钝化层;(2)采用离子注入的方法,穿过所述钝化层在所述半导体基片上形成杂质源区;(3)采用激光照射所述杂质源区使其活化以得到太阳电池掺杂区c本发明采用激光对掺杂区进行活化,由于激光的速度、功率调节方便快捷,口间应速度快,从而可以实现对掺杂浓度、掺杂深度、掺杂区宽度的精确控制,使得工艺条件简化。 |
