形成太阳电池掺杂区的方法

基本信息

申请号 CN201310571141.4 申请日 -
公开(公告)号 CN103633188A 公开(公告)日 2014-03-12
申请公布号 CN103633188A 申请公布日 2014-03-12
分类号 H01L31/18(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 喻翼晃;邱发清 申请(专利权)人 江西弘宇太阳能热水器有限公司
代理机构 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 汤东凤
地址 334000 江西省上饶市万年县丰收工业园
法律状态 -

摘要

摘要 种形成太阳电池掺杂区的方法,包括以下步骤:(1)在一半导体基片的表面形成一钝化层;(2)采用离子注入的方法,穿过所述钝化层在所述半导体基片上形成杂质源区;(3)采用激光照射所述杂质源区使其活化以得到太阳电池掺杂区c本发明采用激光对掺杂区进行活化,由于激光的速度、功率调节方便快捷,口间应速度快,从而可以实现对掺杂浓度、掺杂深度、掺杂区宽度的精确控制,使得工艺条件简化。