LDMOSFET的制作方法及结构
基本信息
| 申请号 | CN202210414986.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114512407B | 公开（公告）日 | 2022-07-12 |
| 申请公布号 | CN114512407B | 申请公布日 | 2022-07-12 |
| 分类号 | H01L21/336（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 余山;赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文 | 申请（专利权）人 | 北京智芯微电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 102200北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及MOSFET制作技术领域，具体地涉及一种LDMOSFET的制作方法及结构。其中LDMOSFET的制作方法包括：包括在衬底上形成第一阱区和与所述第一阱区导电类型不同的第二阱区，还包括：在所述第一阱区上形成体区和与所述体区相邻的漂移区，在所述漂移区中形成硅局部氧化隔离区；将所述硅局部氧化隔离区氧化后形成空腔，在所述空腔下方的漂移区内形成与所述空腔不连通的离子注入区；在所述体区与所述漂移区的相邻界面的上方形成栅极，所述栅极在所述漂移区一侧延伸至被填充的空腔上方，在所述第一阱区形成源极和漏极。本实施方式具有简便实用，工艺兼容性好的优点。 |
