碳化硅LDMOSFET器件制造方法及碳化硅LDMOSFET器件
基本信息
| 申请号 | CN202210652972.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114744027A | 公开（公告）日 | 2022-07-12 |
| 申请公布号 | CN114744027A | 申请公布日 | 2022-07-12 |
| 分类号 | H01L29/16（2006.01）I;H01L29/40（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/8234（2006.01）I;H01L27/088（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 余山;赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文 | 申请（专利权）人 | 北京智芯微电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 102200北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体领域，提供一种碳化硅LDMOSFET器件制造方法及碳化硅LDMOSFET器件。所述方法包括：在P型碳化硅衬底上形成碳化硅外延层，在碳化硅外延层上粘接P型硅层；对P型硅层进行刻蚀处理，形成两个延伸至碳化硅外延层的沟槽；分别沿两个沟槽的底部对碳化硅外延层进行离子掺杂形成沟道区；离子掺杂形成N型漂移区，填充沟槽形成P型体区；对填充沟槽进行刻蚀，形成场板隔离介质层；在刻蚀后的填充沟槽内填充多晶硅形成多晶硅栅极；在P型体区和N型漂移区形成源漏区。本发明采用碳化硅衬底，利用碳化硅的高击穿特性，提高器件的击穿电压；通过沟道区将两个多晶硅栅极串联形成组合栅结构，降低器件的导通电阻。 |
