一种改进的CVD设备、以及用改进的CVD设备实现共渗沉积铝硅涂层的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110147304.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112981368A | 公开（公告）日 | 2021-06-18 |
| 申请公布号 | CN112981368A | 申请公布日 | 2021-06-18 |
| 分类号 | C23C16/44;C23C16/42;C23C16/56;C23C12/02 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 彭徽;于海原;毕晓昉;张恒 | 申请（专利权）人 | 北航（四川）西部国际创新港科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京永创新实专利事务所 | 代理人 | 冀学军 |
| 地址 | 610000 四川省成都市天府新区成都直管区正兴镇凉风顶村3组303号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种改进的CVD设备、以及用改进的CVD设备实现共渗沉积铝硅涂层的制备方法；本发明设计的应用于铝硅共渗涂层制备的改进CVD设备，其包括反应气供气单元、改进CVD单元和废气处理单元。沉积反应室内设置有一区和二区的不同温度环境。应用改进的CVD设备进行改进CVD工艺加工时，一区温度场进行化学气相沉积，二区温度场进行原位真空扩散退火。采用本发明改进的CVD设备并配合本发明改进CVD工艺在涡轮发动机热端部件上共渗沉积铝硅涂层，制得的共渗沉积铝硅涂层在1150℃、100h氧化增重为1.5mg/cm2～3.5mg/cm2，抗氧化能力高。 |
