提高Ⅲ族氮化物发光效率的LED量子阱结构及其生长方法
基本信息
| 申请号 | CN200810124467.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101355127B | 公开（公告）日 | 2010-11-10 |
| 申请公布号 | CN101355127B | 申请公布日 | 2010-11-10 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 谢自力;张荣;韩平;修向前;陈鹏;陆海;刘斌;顾书林;施毅;郑有炓 | 申请（专利权）人 | 扬州隆耀光电科技发展有限公司 |
| 代理机构 | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人 | 南京大学 |
| 地址 | 210093 江苏省南京市汉口路22号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种提高III族氮化物LED发光效率的量子阱结构，包括蓝宝石衬底层(6)，缓冲层(5)，过渡层(4)，N型导电层(3)，量子阱结构层(2)，P型导电层(1)以及电极层(7)；衬底层(6)上依次为GaN构成的缓冲层(5)，GaN构成的过渡层(4)，N型GaN构成的N型导电层(3)，InGaN/AlGaInN交替构成的量子阱结构层(2)，P型GaN构成的P型导电层(1)以及电极层(7)。量子阱结构层(2)是5-10个周期且层厚分别为5-20nm/15-40nm的InGaN/AlGaInN量子阱结构层。 |
